Стаськов, Н. И.; Ивашкевич, И. В.; Сотская, Л. И.; Ещик, Т. Н.
(ГГУ им. Ф. Скорины, 2016)
Для получения структур диоксид кремния-кремний (SiO2-cSi), необходимых для интегральной микроэлектроники, с заданными электрофизическими параметрами – малой величиной фиксированного заряда и низкой плотностью поверхностных ...