Аналитическое решение обратной задачи спектрофотометрии для поглощающего слоя на поглощающей подложке с диэлектрическим слоем

Abstract

На примере двухслойной структуры полупроводник – диэлектрик – полупроводник рассмотрена возможность аналитического определения оптических параметров n1(λ), 1k (λ) и толщины 1 d верхнего слоя по огибающим спектров отражения при нормальном падении света. Рассчитать такие функции даже для случая отсутствия переходных зон между слоями очень сложно. Несовпадение огибающих расчетных и измеренных коэффициентов отражения в определенных областях спектров указывает на наличие неоднородных поверхностных и переходных зон в реальных структурах рSi – SiO2 – cSi. On the example of a two-layer structure of a semiconductor – insulator – semiconductor the possibility of an analytical determination of the optical parameters and thickness of the upper layer on the reflection spectrum envelope at normal incidence of light is considered. It is very difficult to calculate these functions even in the case of absence of the transition zones between the layers. Mismatching envelopes calculated and measured reflection coefficients in certain areas of the spectra indicates the presence of inhomogeneous surface and transition zones in real structures pSi – SiO2 – cSi.