Монохроматическая эллипсометрия оксидных слоев на кремниевых пластинах, сформированных быстрым термическим отжигом

Abstract

В результате термического отжига на поверхности полупроводниковой пластины образуется неоднородный слой, состоящий из ультратонкого контактного слоя, оксидного слоя и поверхностного слоя. Предложена функция, которая характеризует распределение диэлектрической проницаемости по толщине слоя и обеспечивающая устойчивое решение обратной эллипсометрической задачи при оптимальных углах падения света на неоднородный слой. As a result of thermal annealing, a heterogeneous layer is formed on the surface of the semiconductor wafer, consisting of an ultrathin contact layer, an oxide layer, and a surface layer. A function has been proposed that characterizes the distribution of dielectric permittivity across the thickness of the layer, ensuring a stable solution to the inverse ellipsometric problem at optimal angles of incidence of light on the heterogeneous layer.