Abstract:
Исследуется возможность исключения влияния естественного поверхностного слоя при определении методом спектральной эллипсометрии дисперсии показателей преломления n(λ) и поглощения k(λ) полупроводниковой подложки. Показано, что при решении обратных эллипсометрических задач можно использовать простейшую модель переходного слоя с одним параметром, который определяется толщиной и показателем преломления слоя. The possibility of exclusion of the influence of a natural surface layer is investigated at determination by the method of spectral ellipsometry dependencies n(λ) and k(λ) for a semiconductor substrate. It is shown that in the solution of the inverse ellipsometric problems a simple model of the transition layer with a single parameter which is determined by the thickness and refractive index of the layer can be used.
