Abstract:
Создана расчетная модель роста первичных кристаллов с высокой анизотропией поверхностного натяжения при затвердевании бинарного сплава. Модель использована для расчетов, когда конвекция расплава случайно изменяет распределение концентрации элементов в слое вблизи границы растущего кристалла. Показано, что влияние таких изменений падает с ростом степени анизотропии.
