Abstract:
Статья посвящена разработке и экспериментальной апробации резонансного метода определения толщины микронного слоя диэлектрика на полупроводниковой подложке с использованием спектральной эллипсометрии. В основе метода лежит явление обобщённого эффекта Брюстера. Показано, что из-за дисперсии показателей преломления слоя и подложки деструктивные интерференционные резонансы s и p-поляризованного света наблюдаются на двух длинах волн при одном угле падения. При этом только для p-поляризованного света выполняется обобщённый эффект Брюстера 0 (θ θ 90). t На точность определения толщины слоя влияет точность определения резонансных длин волн, которая зависит от шага изменения длины волны спектрального эллипсометра при измерении углов Δ(θ, λ) и ψ(θ, λ).
