JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Методы картирования приборных слоев полупроводниковых пластин
Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Пантелеев, К. В.; Самарина, А. В.; Свистун, А. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Vorobey, R. I.; Gusev, O. K.; Zharin, A. L.; Pantsialeyeu, K. Y.; Samarina, A. Y.; Svistun, A. I.; Tyavlovsky, A. K.; Tyavlovsky, K. L.
Выполнен сравнительный анализ методов картирования приборных слоев полупроводниковых пластин. Показана перспективность методов на основе регистрации изменений потенциала поверхности зондовым электрометрическим
преобразователем в режиме статической либо динамической фотоЭДС, отличающихся полностью неразрушающим характером измерений и позволяющих получить ряд новых количественных и качественных характеристик приборных слоев. Methods of device layers mapping for semiconductor wafers are discussed and
compared. Probe electrometry methods based on surface potential registration in a static or dynamic SPV mode allow a completely non-destruction testing that gives a number of new quantitative and qualitative parameters of the device layers.
