Аннотации:
Решается задача измерения линейных размеров с субпиксельной точностью для элементов полупроводниковых пластин в микроскопии. Рассмотрен метод измерения с помощью анализа профиля сечения изображения, содержащего края объекта с применением метода взвешенных сумм. Описан предлагаемый метод статистической оценки и удаления аномальных результатов для множества однотипных измерений с целью повышения устойчивости алгоритма. In this paper, the problem of measuring linear dimensions with sub-pixel accuracy for elements of semiconductor wafers in microscopy is solved. The method of measuring the cross section of an image containing the edges of an object using the weighted sum method is considered. A proposed method of statistical estimation and removal of anomalous results for a set of one-type measurements is described with the aim of increasing the stability of the algorithm.
