Аннотации:
Волноводными методами исследована нелинейность в полупроводниковых и диэлектрических тонкопленочных структурах в условиях самовоздействия при интенсивности света менее 0.1 W/см2 на длине волны излучения 630 nm. Обнаружены общие тенденции в зависимости оптических свойств от интенсивности света для полупроводниковых и диэлектрических пленок, многослойных тонкопленочных структур и пленок из стекол, легированных полупроводниками. Показано, что характер оптической нелинейности и значения нелинейных оптических постоянных определяются состоянием границ раздела фаз.
