Abstract:
Предложен метод решения обратной задачи эллипсометрии о восстановлении диэлектрической проницаемости подложки при наличии на ее поверхности наноразмерного слоя с неизвестными заранее характеристиками. Решение использует поляризационные углы, измеренные при двух углах падения света на структуру, и определяет диэлектрическую проницаемость подложки одновременно с интегральным параметром, характеризующим поверхностный слой. Подход применен к спектральной эллипсометрии кремния с поверхностными слоями. Определены дисперсионные характеристики и ширина запрещенной зоны кремния, легированного бором, марки КДБ-12, поверхность которого пассивирована методом быстрой термической обработки.
