Аннотации:
Исследована зависимость характера пространственного распределения интенсивности регистрируемой m-линии в случае возбуждения волноводной моды тонкопленочной структуры от частотных характеристик светового пучка. В качестве источника излучения с различной шириной спектра использованы полупроводниковые лазерные диоды с максимумами излучения при 635—670 нм, He—Ne-лазер и лампа накаливания, излучение которой пропускалось через монохроматор. Тонкопленочные волноводы с высокой хроматической дисперсией изготовлены на основе многослойных структур TiO2-SiO2, ZrO2-SiO2.
The dependence of a spatial distribution of the recorded m-line intensity on the light beam characteristics is investigated in the case of the waveguide mode excitation of a thin-film structure. Semiconductor laser diodes with the radiation maxima at wavelengths of 635—670 nm, a He—Ne laser, and an incandescent lamp the radiation of which passes through a monochromator have been used as the light sources with different spectrum widths. Thinfilm waveguides with high chromatic dispersion have been made on the basis of multilayer TiO2-SiO2, ZrO2-SiO2 structures.
